北京工业大学 信息学部 微电子学院, 北京 100124
提出了一种低压低功耗有源电感(LVLPAI)。它由新型正跨导器、负跨导器以及电平转换模块构成。其中, 电平转换模块与新型正跨导器的输入端和负跨导器的输出端连接, 同时, 新型正跨导器采用了PMOS晶体管, 并将栅极和衬底短接, 最终使得有源电感可在低压下工作, 且在不同频率下具有低的功耗。基于018 μm RF CMOS工艺进行性能验证, 并与传统AI进行对比。结果表明, LVLPAI和传统AI比较, 在15 GHz、27 GHz、44 GHz这三个频率处分别取得三个电感值3 326 nH、1 403 nH、782 nH的条件下, 前者和后者的工作电压分别为08 V、1 V、12 V和15 V、16 V和17 V, 分别下降了467%、375%、294%; 功耗分别为008 mW、025 mW、053 mW和014 mW、031 mW、062 mW, 分别下降了429%、194%、145%。
有源电感 低压 低功耗 active inductor low voltage low power
鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，内蒙古鄂尔多斯017000
针对双屏显示产品Gamma曲线分离现象，通过实物解析、电学实验、工艺过程数据及调整工艺条件等实验进行验证，并结合大量验证数据进行机理研究。通过实物测量可知上下屏的液晶盒盒厚及像素电极CD存在差异，因此导致上下屏的透过率不同，进而造成上下屏Gamma差异。通过工艺调查验证得出液晶盒盒厚及像素电极CD差异是受到设备硬件影响导致涂胶起涂位置均一性差造成的；最终通过上下屏间封框胶封闭、最适化膜厚导入及波动范围内像素电极CD增大等工艺改善，将Gamma曲线分离不良彻底改善（不良发生率12%），提高了产品画面显示品质。
薄膜晶体管显示器 驱动电场 临界尺寸 液晶盒盒厚 TFT driving electric field critical dimension cell gap
在（211）B碲锌镉衬底上，采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料，通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺，实现中长双色640×512 红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明，表面宏观缺陷（2~10 μm）密度统计分布约773 cm-2，同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽（FWHM）测试和位错腐蚀坑（EPD）统计，XRD测试FWHM约31.9 arcsec，EPD统计值约为5×105cm-2；双色器件芯片台面刻蚀深度达到8 μm以上，深宽比达到1∶1以上，侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明，中波波长响应范围为3.6~5.0 μm，长波波长响应范围为7.4~9.7 μm，中波向长波的串音为0.9 %，长波向中波的串音为3.1 %，中波平均峰值探测率达到3.31×1011 cm·Hz1/2/W，NETD为17.7 mK；长波平均峰值探测率达到6.52×1010 cm·Hz1/2/W，NETD为32.8 mK；中波有效像元率达到99.46%，长波有效像元率达到98.19 %，初步实现中长双色红外焦平面组件研制。
中长双色 碲镉汞 分子束外延 等离子体刻蚀 串音 MW/LW dual-band HgCdTe molecular beam epitaxy（MBE） plasma etch cross-talk
1 中国科学技术大学生命科学与医学部生物医学工程学院，江苏 苏州 215163
2 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所，江苏 苏州 215163
3 东南大学附属中大医院消化内科，江苏 南京 210009
食管鳞癌（ESCC）是我国常见的消化道恶性肿瘤之一。临床上，窄带成像联合放大内镜（NBI-ME）能够显示出食管粘膜层的微血管形态变化，是诊断ESCC的重要手段。针对ESCC识别模型难以兼顾识别准确率和推理效率的问题，提出一种融合注意力机制的轻量化残差网络（CALite-ResNet）对食管NBI-ME图像进行分类。从多家医院采集到206例患者共11468张NBI-ME图像作为本研究数据集。实验结果表明，ESCC识别的准确率和敏感度分别在图像级别达到96.39%和95.70%，在病人级别达到95.70%和94.62%，单张食管图像的平均预测时间为16.42 ms。因此，CALite-ResNet模型对ESCC具有较高的识别准确率和较快的推理效率，能够为ESCC的临床辅助诊断提供有效帮助，具备一定的临床意义与应用价值。
图像处理 轻量化网络 注意力机制 食管鳞癌 窄带成像 放大内镜 激光与光电子学进展
2023, 60(10): 1010023
红外与激光工程
2023, 52(3): 20220901
1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093
2 华东师范大学重庆研究院，重庆 401147
3 华东师范大学 精密光谱科学与技术国家重点实验室，上海 200062
InGaAs/InP雪崩光电二极管（avalanche photodiode APD）可实现近红外波段的单光子检测，具有集成度高功耗低等优势，被广泛应用于量子信息科学、激光测绘、深空通信等领域。通常，为了减小误计数，InGaAs/InP APD工作在门控盖革模式，其门控信号的重复频率直接决定了探测器的工作速率。基于此，采用低通滤波方案，结合集成了GHz正弦门控信号产生、雪崩信号采集、温度控制、偏置电压调节等功能的处理电路，搭建了GHz重复频率可调的高性能InGaAs/InP单光子探测器。GHz门控信号重复频率升高到2 GHz，其相位噪声仍优于-70 dBc/Hz@10 kHz，且尖峰噪声被抑制到热噪声水平，当探测效率为10%时，暗计数仅为2.4×10-6/门。此外，还验证了该方案下探测器的长时间稳定性，测试了工作速率、偏置电压等对APD关键性能参数的影响，为GHz InGaAs/InP APD的进一步集成及推广奠定基础。
单光子探测器 雪崩光电二极管 single-photon detector avalanche photodiode 
